电子半导体资料是现代制作的根底，是推进集成电路工业开展立异的要害，简直贯穿整个集成电路制作进程。电子器材在实践执役进程中，因为规划原因或器材与环境相互作用，功用或结构发生变化，可能会出现功用下降或许损坏，需要对失效的原理、机理进行清楚并拟定相应的改进办法。

失效剖析关于纠正规划和研制过错、完善产品、进步产品良品率和可靠性有重要意义，飞纳电镜能够供给简略、高效、准确的电子半导体资料检测计划，关于失效形式确实定有很大的协助。

事例共享 1：刻蚀线路边角微观结构查看

线路边角的平坦性、洁净度、缺点、孔洞等会影响后续制程工艺，经过四切割 BSD 探头的 Top 形式能够清楚出现边角的描摹。结合飞纳电镜优中心歪斜样品台，能够多视点地调查到蚀刻边角的平坦性及锐利度，然后辅导工艺的改进。

原始图 Top形式

歪斜视点 歪斜扩大

TOP 形式作业原理

飞纳台式扫描电镜四切割背散射电子探测器，可给出样品成分和描摹信息，为您供给两种成像形式：

成分形式（Full mode）：一起给出样品外表描摹与成分信息，不同元素可由其对比度的不同加以分辩。

描摹形式（Topographical mode）：在图画中去除了成分不同所形成的差异，强化样品的 3D 信息，使样品外表的凹凸崎岖等微观结构愈加清楚。特别适用于外表粗糙度和缺点剖析。

成分形式图画（包括样品成分与描摹信息） 描摹形式图画（仅杰出样品外表描摹特征）

飞纳台式扫描电镜能够快速地在这两种成像形式间恣意切换。

事例共享 2：Pad 外表缺点和异物检测

外表缺点和异物是微观结构调查的重要内容，上图中（A）~（D）是对 Pad 外表焊接状况、外表缺点的调查。并且电子资猜中许多时分需要对资料浅表层的状况进行调查，Phenom SEM 能够快速地进行电压切换然后进行不同深度表层状况的剖析，如事例（E）、（F）所示，分别为 5kV、15kV 加快电压下调查到的资料外表，能够调查到彻底不同的外表状况。

事例共享 3：电子器材异物及成分剖析

在电子器材的生产中，往往因为质料不纯、制程污染等原因引进一些杂质，这些异物对产品功用有很大影响，常会形成器材的失效。在剖析的进程中，使用搭载 EDS 的扫描电镜的描摹剖析才能和元素剖析才能，能够很好的找到异物，并对异物形状、成分、方位进行承认，从而协助异物的溯源和工艺的改进。

事例所示为铝垫外表的异物剖析，在光学显微镜下能够发现铝垫外表存在的一些白点，使用 Phenom 飞纳电镜的光镜—电镜联动功用，能够快速地进行缺点定位，再经过 EDS-Mapping 进行成分剖析能够明显地发现含 Cl、Ag 的异物，残留的氯会导致打线的结合力变差而引起失效。