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段式LCD实际的机理是啥?该怎样设计方案?
实际上推动波型和液晶显示屏的影响很朴素,仅有记牢液晶显示屏不可以加直流电源,什么波型都是为了更好地作出一个互换推动工作电压数据信号,COM和SEG尽管波型看起来繁杂,实际上又十分简易,COM是一个次序扫描仪矩形脉冲,周而复始的不断涌现,是不是照亮仅有看一个COM和SEG波型中间迭加的压力差关联就好了。
例如3V 1/2bias的推动集成icCOM和SEG要照亮液晶显示屏,仅有在COM为3V SEG为0V或COM为0V SEG为3V才会照亮,而其他状况不是亮的。
bias就是指液晶显示屏的偏压指数,简易的说指出推动工作电压的阶梯数,3v 1/2bias有三种工作电压3v 1.5v 0v,3v 1/3bias有四种电压3v 2v 1v 0v,但全是3v液晶显示屏块照亮,如今了解1/2bias和1/3bias能测算出什么了吧。bias数越多,亮与没亮的差别显著些,提升亮灭亮度对比度。
这方面实际的材料都并不是过多,实际上看不一样的LCD推动集成ic规格说明书到是更快的方式。也有便是可以网上搜一些液晶显示屏基本概念的物品,但是一般黑与白的少,倒是STN,TFT的多。
LCD分屏和切屏该怎样开展?
1.LCM之Fmark作用
近期调节R61509V这颗LCM推动集成ic时,在单色检测界面下画面更新有残余(tearing effect,即TE)的问题。基本缘故是主控芯片写图象信息的效率与LCM霸屏的速率不一致导致的,详尽是霸屏速率要远大于主控芯片写速率。好在许多LCM推动集成ic都是有一个Fmark脚,用于与主控芯片同歩,当Fmark传出一个信息给主控芯片时,主控才逐渐写一帧数据,那样就能确保两侧同歩。叙述前最先对好多个定义叙述:
(1)霸屏速率
刷屏率就是指LCM更新的速率,这一值某些在LCM的复位CODE时会设置好。针对瑞萨的R61509V这颗LCD推动,设置0x0010存储器便是设置霸屏速率。根据公式计算:帧数=678KHZ/{(RTN)*DIV*(432 8 8)},在其中678K是LCM內部的闹钟源,RTN是每排的钟表数,DIV是分音器指数,(432 8 8)则是行清晰度。测出的結果是:
0X011F 20HZ,最少頻率。
0X011A 29HZ
0X0115 36HZ
0X0110 52HZ
0X001C 60HZ
0X0018 70HZ
0X0014 80HZ
刷屏率太低会造成发生flicker状况,因此一般要设置在60HZ以上。
(2)主控芯片写速率WR跟片选CS
这两个PIN脚对每一个DBI的LCM都具备,二者的输出功率是一致的。主控芯片每一次写一帧数据时,会有一个片选数据信号,与此同时相匹配一个WR的写合理数据信号。主控芯片的写頻率的转变是由责任情况选用的,例如拍摄时,拍照动态性物件的表明写速率就快于拍照静态数据物件的表明写速率。
假如显示屏的界面沒有升级,便会70ms update一次lcd,倘若界面有动,便是较多33ms刷一次屏。含意便是CS頻率只有限制在1/70到1/30,14.28HZ至33.33HZ中间。最大頻率早已远大于PAL或是NTSC的帧频,可以确保监控摄像头工作中或是播放歌曲时不可能发生丢帧状况。
(3)Fmark作用
要也就能fmark,最先要确保主控芯片的fmark脚与LCM的fmark脚是精确对接的;次之要在LCM复位中也就能屏的fmark功能,确保LCM规律性发信号给主控芯片,与此同时也就能主控芯片的fmark功能,确保主控芯片接到一个fmark数据信号才写一帧数据。
LCM的fmark有两个主要参数可以配备:一是刷几回屏传出一个fmark数据信号,比如不一定要每一次霸屏都发fmark数据信号,可以刷几回屏发一次fmark数据信号;二是fmark的部位主要参数,可以让fmark迟缓几个线导出,目地是让主控芯片晚一点写数据信息到GRAM,防止TE。
例举:存有那样的状况,便是IC在从GRAM看完最终一行就导出te信号,这时BB逐渐写GRAM。但也许还需要有一两条line的時间,IC才逐渐从GRAM的第一行读取数据刷掉二桢,而写GRAM的速率要慢于IC读GRAM的速度,这时很有可能还没逐渐写。造成读GRAM超出写GRAM,因此会在上边产生tearing。要避免TE导出过早,招致写GRAM先开始,因此得加延迟时间,确保读年久数据信息逐渐后,写GRAM才开始。
(4)fmark周期时间与CS周期
不断涌现TE景色的基本上原因是两侧速率不一致,详尽是LCM的更新速率要远大于主控芯片送数据信息的速率,二者的速率要切合一定的经营规模才行。仅有确保CS的周期时间在2个TE周期时间中间就可以,也就是CS的写頻率不可以小于TE读頻率的二分之一,Tearing不断涌现的基础前提条件是读写能力有交叉。通常全是写Gram速率(WR)慢于lcd霸屏速率(TE)[x2],只需霸屏的部位不超过写Gram位置就不可能有切屏状况。
举个案例:比如CS类似就比2个TE周期时间小一点,要刷两桢数据信息,最先第一桢霸屏开始霸屏了,提示读GRAM逐渐,它的速率比照快,它读的是年久数据信息;随后主控芯片开始写GRAM,大约提到GRAM的快一半时,此刻早已刷完一桢,随后逐渐刷第二桢,即又从GRAM的最上边逐渐读并霸屏,这时读出的才算是刚载入的新数据,在写完GRAM以前,读的流程始终无法跟上写的流程,就不可能发生tearing。
倘若CS比2个TE周期时间大,倘若相当于三个TE周期时间,那麼只需在第三个TE读周期时间时,表明的数据信息才算是写好的GRAM的数据信息;第一个TE读的是年久的数据信息,第二个TE周期时间因为GRAM都还没写完,但读流程追上写GRAM流程了,造成显式一部分是旧的一部分是新的,因此发生TE。此即实质。
(5)TE种类
TE表明也就能时,必不可少确保CPU的LCD TE也就能和LCM推动的TE功能都开启。LCM的TM也就能有二种:VSYSC,VSYNCHSYNC。
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